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  • 1001
  • 10MQ100N
  • International Rectifier Corp.
  • Schottky Rectifier
  • 6页
  • 45K
  • 1002
  • 10MQ100NTR
  • International Rectifier Corp.
  • Schottky Rectifier
  • 6页
  • 45K
  • 1003
  • 1MBI300S-120
  • Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
  • IGBT Module
  • 4页
  • 474K
  • 1004
  • 1N4448HWT-7
  • Diodes, Inc.
  • Surface Mount Fast Switching Diode
  • 2页
  • 72K
  • 1005
  • 2N7002K
  • Vishay Intertechnology, Inc.
  • N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
  • 5页
  • 41K
  • 1006
  • 2N7002K-T1
  • Vishay Intertechnology, Inc.
  • N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
  • 5页
  • 41K
  • 1007
  • 2SA1450
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
  • 4页
  • 127K
  • 1008
  • 2SC0829
  • 松下資訊科技
  • Silicon NPN epitaxial planar type
  • 4页
  • 71K
  • 1009
  • 2SC1980
  • 松下資訊科技
  • Silicon NPN epitaxial planer type
  • 3页
  • 56K
  • 1010
  • 2SC2570A
  • NEC Electronics, Inc.
  • HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
  • 8页
  • 119K
  • 1011
  • 2SC2570A-T
  • NEC Electronics, Inc.
  • HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
  • 8页
  • 119K
  • 1012
  • 2SC3066
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
  • 2页
  • 94K
  • 1013
  • 2SC3708
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
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