• 101
• 2SC5422
• Toshiba America, Inc.
• TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
• 5页
• 227K

• 102
• 2SC5422
• Toshiba America, Inc.
• TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
• 5页
• 316K

• 103
• 2SC5421
• Toshiba America, Inc.
• TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
• 5页
• 221K

• 104
• 2SC5421
• Toshiba America, Inc.
• TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
• 5页
• 322K

• 105
• 2SC5420
• Sanyo Semiconductor Corporation
• NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
• 4页
• 69K

• 106
• 2SC5419R
• Panasonic Industrial Sales (Taiwan) Co., Ltd.
• Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Transistor
• 3页
• 80K

• 107
• 2SC5419Q
• Panasonic Industrial Sales (Taiwan) Co., Ltd.
• Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Transistor
• 3页
• 80K

• 108
• 2SC5419P
• Panasonic Industrial Sales (Taiwan) Co., Ltd.
• Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Transistor
• 3页
• 80K

• 109
• 2SC5419
• 松下資訊科技
• Silicon NPN triple diffusion planar type
• 3页
• 53K

• 110
• 2SC5417LS
• Sanyo Semiconductor Corporation
• NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
• 4页
• 43K

• 111
• 2SC5416LS
• Sanyo Semiconductor Corporation
• NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
• 4页
• 43K

• 112
• 2SC5415
• Sanyo Semiconductor Corporation
• NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
• 6页
• 47K

• 113
• 2SC5414
• Sanyo Semiconductor Corporation
• NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
• 6页
• 47K

• 114
• 2SC5411
• Toshiba America, Inc.
• TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
• 5页
• 311K

• 115
• 2SC5409-T1
• NEC Electronics, Inc.
• NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
• 3页
• 183K

• 116
• 2SC5408-T1
• NEC Electronics, Inc.
• NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
• 8页
• 50K

• 117
• 2SC5404
• Toshiba America, Inc.
• TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
• 5页
• 319K

• 118
• 2SC5404
• Toshiba America, Inc.
• TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
• 5页
• 227K

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