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  • 2SC5409-T1
  • NEC Electronics, Inc.
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
  • 3页
  • 183K
  • 2
  • 2SC5408-T1
  • NEC Electronics, Inc.
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
  • 8页
  • 50K
  • 3
  • 2SC5404
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
  • 5页
  • 319K
  • 4
  • 2SC5404
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
  • 5页
  • 227K
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