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  • KMM5364005BSWG-6
  • Samsung Semiconductor, Inc.
  • 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad inverted CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
  • 19页
  • 386K
  • 2
  • KMM5364005BSWG-5
  • Samsung Semiconductor, Inc.
  • 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad inverted CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
  • 19页
  • 386K
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