最低灵敏度 @ mW/cm2

  • 0.5@1
  • 1.5@1
  • 12.0@5
  • 2.0@1
  • 1.0@0.5
  • 3.2@0.5
  • 3.4@1
  • 7.0@1
  • 3.0@1

最高灵敏度 @ mW/cm2

  • 2.0@0.5
  • 6.5@1
  • 17.5@1
  • 8.0@1
  • 1.0@1
  • 4.0@1
  • 10.0@1
  • 0.8@0.5
  • 24.0@5
  • 1.0@10

针脚数

  • 3
  • 2

引脚节距

  • 2.54mm
  • 2.54mm

引线长度

  • 19.05mm
  • 12.7mm
  • 17.5mm
  • 12.9mm

下降时间

  • 6μs
  • 3.7μs
  • 1.5μs
  • 5μs
  • 3.8μs
  • 12μs
  • 50μs
  • 8μs
  • 3.3μs
  • 10μs
  • 7μs
  • 3.5μs

外宽

  • 1.35mm
  • 3.0mm
  • 5.57mm
  • 4.65mm
  • 4.67mm
  • 4.5mm
  • 4.95mm
  • 4.44mm
  • 4.57mm
  • 2.35mm
  • 4mm
  • 4.9mm
  • 3mm

外部深度

  • 2.8mm
  • 1.5mm
  • 2.65mm
  • 2.3mm
  • 4.29mm
  • 1.25mm
  • 2.54mm
  • 2mm
  • 0.95mm

外部长度/高度

  • 3.3mm
  • 3.5mm
  • 1.05mm
  • 5.7mm
  • 2.95mm
  • 5.08mm
  • 2.9mm
  • 4.9mm
  • 2.54mm
  • 5.58mm
  • 7.61mm
  • 4.0mm

输出类型

  • Transistor
  • Phototransistor

视角

  • 120°
  • 10°
  • 30°
  • 60°
  • 130°
  • 20°
  • 70°
  • 74°
  • 18°
  • 12°
  • 75°
  • 50°
  • 14°
  • 15°
  • 25°
  • 26°

上升时间

  • 3.7μs
  • 15μs
  • 7μs
  • 100μs
  • 10μs
  • 5μs
  • 6??s
  • 12μs
  • 3.8μs
  • 6μs
  • 75μs
  • 8μs
  • 3.3μs
  • 1.5μs
  • 3μs

器件标号

  • 6000
  • 6200
  • 5700
  • 4400
  • 5600

灵敏度

  • 450nm to 1120nm
  • 350nm to 970nm
  • 380nm to 1180nm
  • 420nm to 1100nm
  • 750nm to 1120nm
  • 50μA
  • 75μA
  • 475nm 至 650nm
  • 730nm to 1120nm
  • 200μA
  • 350nm 至 950nm
  • 430nm to 1150nm
  • 840nm to 1080nm

晶体管类型

  • NPN Epitaxial Planer Phototransistor
  • NPN
  • Photo
  • ???电
  • 光电
  • Phototransistor

功耗

  • 130mW
  • 600mW
  • 150mW
  • 165mW
  • 75mW
  • 100mW
  • 70mW
  • 250mW

工作温度范围

  • -30°C to +85°C
  • -40°C to +85°C
  • -65°C to +125°C
  • -55°C to +125°C
  • -40°C to +100°C
  • -25°C to +85°C

工作温度最低

  • -30°C
  • -25°C
  • -65°C
  • -40°C

工作温度最高

  • +85°C
  • +100°C
  • 85°C
  • 100°C
  • 125°C

封装类型

  • Radial
  • SMD Compact Thin
  • 侧视
  • TO-18
  • Pill
  • 侧发光形
  • PLCC-2
  • Radial
  • PLCC
  • Side Emitting
  • T-3/4
  • SMD
  • ??形
  • SMD-3 Plastic
  • 丸状金属壳
  • T1
  • T-1
  • SCD-80
  • 矩形
  • T-1 3/4
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
EG & G VACTEC - VTT1115H - 光电三极管 EG & G VACTEC - VTT1115H - 光电三极管
  • 光电三极管
  • 美国 0
    上海 0
    美国124
    新加坡 0
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    EG & G VACTEC - VTT9103H - 光电晶体管 EG & G VACTEC - VTT9103H - 光电晶体管
  • 光电晶体管
  • NPN
  • 0.100W
  • TO-106
  • 30V
  • 50mA
  • 美国 0
    上海 0
    美国535
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    EG & G VACTEC - VTT9102H - 光电晶体管 EG & G VACTEC - VTT9102H - 光电晶体管
  • 光电晶体管
  • NPN
  • 0.100W
  • TO-106
  • 30V
  • 50mA
  • 美国 0
    上海 0
    美国87
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    EG & G VACTEC - VTT7122H - 光电晶体管 EG & G VACTEC - VTT7122H - 光电晶体管
  • 光电晶体管
  • 0.05W
  • Case 7
  • 30V
  • 25mA
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    EG & G VACTEC - VTT3323LAH - 光电晶体管 EG & G VACTEC - VTT3323LAH - 光电晶体管
  • 光电晶体管
  • NPN
  • 0.05W
  • T-1
  • 30V
  • 25mA
  • 美国 0
    上海 0
    美国641
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    SHARP - PT100MF0MP1 - 光电晶体管 SMD SHARP - PT100MF0MP1 - 光电晶体管 SMD
  • 波长, 典型值:910nm
  • 功耗:75mW
  • 视角:30°
  • 针脚数:2
  • 上升时间:5μs
  • 半角:15°
  • 封装类型:SMD Compact Thin
  • 工作温度最低:-30°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 工作温度范围:-30°C to +85°C
  • 晶体管类型:Phototransistor
  • 标称灵敏度 @ mW/cm2:2mA@1mW/cm2
  • 波长, 频谱响应峰值:910nm
  • 电流, Ic 典型值:2mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • 下降时间:6μs
  • 功耗:75mW
  • 存储温度, 最低:-40°C
  • 存储温度, 最高:95°C
  • 暗电流:100nA
  • 波长峰值:910nm
  • 电流, Ic 最大:3.45mA
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SHARP - PT480E00000F - 光电晶体管 侧部发光 SHARP - PT480E00000F - 光电晶体管 侧部发光
  • 波长, 典型值:800nm
  • 功耗:75mW
  • 视角:26°
  • 针脚数:2
  • 上升时间:3μs
  • 半角:13°
  • 外宽:3.0mm
  • 外部深度:2.8mm
  • 外部长度/高度:4.0mm
  • 封装类型:Radial
  • 工作温度最低:-25°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 工作温度范围:-25°C to +85°C
  • 晶体管类型:Phototransistor
  • 标称灵敏度 @ mW/cm2:1.7mA@1mW/cm2
  • 波长, 频谱响应峰值:800nm
  • 电流, Ic 典型值:1.7mA
  • 下降时间:3.5μs
  • 功耗:75mW
  • 反向保护电压:6V
  • 存储温度, 最低:-40°C
  • 存储温度, 最高:85°C
  • 引线直径:0.4mm
  • 引线长度:17.5mm
  • 引脚节距:2.54mm
  • 暗电流:100nA
  • 波长峰值:800nm
  • 电流, Ic 最大:6mA
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1916
    1 1 询价,无需注册 订购
    SHARP - PT4800E0000F - 光电三极管 SHARP - PT4800E0000F - 光电三极管
  • 波长, 典型值:800nm
  • 功耗:75mW
  • 视角:70°
  • 针脚数:2
  • 上升时间:3μs
  • 半角:35°
  • 外宽:3mm
  • 外部深度:1.5mm
  • 外部长度/高度:3.5mm
  • 封装类型:Radial
  • 工作温度范围:-25°C to +85°C
  • 晶体管类型:Phototransistor
  • 电流, Ic 典型值:400mA
  • 表面安装器件:径向引线
  • 下降时间:3.5μs
  • 功耗:75mW
  • 存储温度, 最低:-40°C
  • 存储温度, 最高:+85°C
  • 引线长度:17.5mm
  • 引脚节距:2.54mm
  • 暗电流:100nA
  • 波长峰值:800nm
  • 电流, Ic 最大:20A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1796
    1 1 询价,无需注册 订购
    SHARP - PT480FE0000F - 光电晶体管 SHARP - PT480FE0000F - 光电晶体管
  • 波长, 典型值:860nm
  • 功耗:75mW
  • 视角:26°
  • 针脚数:2
  • 上升时间:3μs
  • 半角:13°
  • 外宽:3mm
  • 外部深度:2.8mm
  • 外部长度/高度:4.0mm
  • 封装类型:Radial
  • 工作温度最低:-25°C
  • 工作温度最高:+85°C
  • 工作温度范围:-25°C to +85°C
  • 晶体管类型:Phototransistor
  • 标称灵敏度 @ mW/cm2:0.8mA@1mW/cm2
  • 电流, Ic 典型值:0.8mA
  • 表面安装器件:径向引线
  • 下降时间:3.5μs
  • 功耗:75mW
  • 反向保护电压:6V
  • 存储温度, 最低:-40°C
  • 存储温度, 最高:+85°C
  • 引线直径:0.4mm
  • 引线长度:17.5mm
  • 引脚节距:2.54mm
  • 暗电流:100nA
  • 波长峰值:860nm
  • 电流, Ic 最大:3mA
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
  • 上海 0
    新加坡30
    英国4981
    1 1 询价,无需注册 订购
    SHARP - PT100MC0MP - 光电晶体管 SMD SHARP - PT100MC0MP - 光电晶体管 SMD
  • 波长, 典型值:900nm
  • 功耗:75mW
  • 视角:30°
  • 针脚数:2
  • 上升时间:5μs
  • 半角:15°
  • 封装类型:SMD Compact Thin
  • 工作温度最低:-30°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 工作温度范围:-30°C to +85°C
  • 晶体管类型:Phototransistor
  • 标称灵敏度 @ mW/cm2:2.9ma@1mW/cm2
  • 电流, Ic 典型值:2.9mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • 下降时间:6μs
  • 功耗:75mW
  • 存储温度, 最低:-40°C
  • 存储温度, 最高:95°C
  • 暗电流:100nA
  • 波长峰值:900nm
  • 电流, Ic 最大:5.1mA
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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