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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP20B120UD-EP - 晶体管 IGBT模块 40A |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:40A
最大功耗:300W
电压, Vceo:1.2kV
封装类型:TO-247AD
针脚数:3
功耗:300W
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:40A
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国11 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG20N60C3D - 晶体管 IGBT N型 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:45A
饱和电压, Vce sat 最大:1.8V
最大功耗:164W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
功耗:164W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:300A
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡1
英国 0 |
1 |
1 |
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INFINEON - SGP30N60HS - 晶体管 IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:41A
饱和电压, Vce sat 最大:3.15V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功耗:250mW
封装类型:TO-220
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:30A
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:30A
表面安装器件:通孔安装
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA25N120ANTD - 晶体管 IGBT TO-3P 每管30 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-3P
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:50ns
功率, Pd:312W
功耗:312W
封装类型:TO-3P
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:25A
电流, Icm 脉冲:75A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
30 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGL40N120AND - 晶体管 IGBT TO-264 每管25 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:3.2V
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-264
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:20ns
功率, Pd:500W
功耗:500W
封装类型:TO-264
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:64A
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:40A
电流, Icm 脉冲:120A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PH50SPBF - 晶体管 IGBT TO-247AC 每管25 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:57A
饱和电压, Vce sat 最大:1.47V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:29ns
下降时间最大:638ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247AC
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:57A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:114A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PH50KDPBF - 晶体管 IGBT TO-247AC 每管25 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:45A
饱和电压, Vce sat 最大:2.77V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:100ns
下降时间:300ns
下降时间最大:300ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247AC
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:45A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:90A
耐短路时间最短:10μs
表??安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PF50WPBF - 晶体管 IGBT TO-247AC 每管25 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:900V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:26ns
下降时间:220ns
下降时间最大:220ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247AC
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:51A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:900V
电流, Icm 脉冲:204A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PF50WDPBF - 晶体管 IGBT TO-247AC 每管25 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:51A
饱和电压, Vce sat 最大:2.25V
最大功耗:200W
电压, Vceo:900V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:52ns
下降时间:220ns
下降时间最大:190ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247AC
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:51A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:900V
电流, Icm 脉冲:204A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC40UDPBF - 晶体管 IGBT TO-247AC 每管25 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:40A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:160W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:57ns
下降时间:120ns
下降时间最大:80ns
功率, Pd:160W
功耗:160W
封装类型:TO-247AC
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:40A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:160A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC30UPBF - 晶体管 IGBT TO-247AC 每管25 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:23A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:100W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:9.6ns
下降时间最大:97ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封装类型:TO-247AC
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:23A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:92A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC50UDPBF - 晶体管 IGBT TO-247 每管25 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:55A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
最大功耗:200W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:25ns
下降时间最大:110ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:55A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:220A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC50FDPBF - 晶体管 IGBT TO-247 每管25 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:1.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:25ns
下降时间最大:140ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:70A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:280A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC30UDPBF - 晶体管 IGBT TO-247 每管25 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:23A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:100W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:21ns
下降时间最大:80ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封装类型:TO-247
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:23A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:92A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG20N60A4D - 晶体管 IGBT TO-247 每管30 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:290W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:12ns
下降时间:32ns
下降时间典型值:32ns
功率, Pd:290W
功耗:290W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:70A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:280A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
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