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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1225Y-200+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) CMOS 64K |
存储器容量:64Kbit
存储器配置:8K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:200ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1225
存储器容量:16Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1225
表面安装器件:通孔安??
逻辑功能号:1225
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上海 0
新加坡5
英国42 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1245Y-100+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) CMOS 1M |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:100ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:32
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1245
存储器容量:1Mbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1245
表面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:1245
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上海 0
新加坡 0
英国44 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1642-100+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) CMOS 16K |
存储器容量:16Kbit
存储器配置:2K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
接口:Parallel
访问时间:100ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:24
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1642
存储器容量:16Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1642
表面安装??件:通孔安装
逻辑功能号:1642
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上海 0
新加坡3
英国 0 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1345YP-70+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) 1M |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
接口:Parallel
访问时间:70ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:PWRCP
针脚数:34
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:PWRCP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1345
存储器容量:1Mbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1345
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:1345
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无库存 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1230AB-100+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) CMOS 256K |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:100ns
电源电压范围:4.75V to 5.25V
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1230
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
温度范围:商用
电源电压 最大:5.25V
电源电压 最小:4.75V
芯片标号:1230
表面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:1230
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上海5
新加坡3
英国22 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1245Y-120+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) CMOS 1M |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:120ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:32
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1245
存储器容量:1Mbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1245
表面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:1245
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上海 0
新加坡20
英国 0 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1220Y-200+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) CMOS 16K |
存储器容量:16Kbit
存储器配置:2K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:200ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:24
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1220
存储器容量:16Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1220
表面安装器件:通孔安??
逻辑功能号:1220
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上海 0
新加坡2
英国 0 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1220Y-150+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) CMOS 16K |
存储器容量:16Kbit
存储器配置:2K x 8bit
接口:Parallel
访问时间:150ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:24
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1220
存储器容量:16Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1220
??面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:1220
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48T35AV-10MH1E - 串行闪存 |
串行闪存
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无库存 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1643-100+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) 64K |
存储器容量:64Kbit
存储器配置:8K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
接口:Parallel
访问时间:100ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1643
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡1
英国249 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M41ST85WMX6 - 芯片 512比特 非易失性存储器 |
存储器容量:512bit
存储器配置:64 x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
接口:I2C, Serial
电源电压范围:2.7V to 3.6V
封装类型:SO
针脚数:28
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SO
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:41
存储器容量:512bit
存储器电压 Vcc:3.3V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Serial I2C
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国49 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1644-120+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) 256K |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
接口:Parallel
访问时间:120ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1644
存储器容量: 256K位
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:防失RAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1644
表面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:1644
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上海 0
新加坡7
英国30 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1225Y-150+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) CMOS 64K |
存储器容量:64Kbit
存储器配置:8K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:150ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1225
存储器容量: 64 K位
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:易失性RAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1225
表面安装器件:??孔安装
逻辑功能号:1225
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上海 0
新加坡3
英国263 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48Z128-70PM1 - 芯片 SRAM ZEROPOWER? 1MB |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:70ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V, 4.75V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:32
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:48
存储器容量:1Mbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:SRAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.75V
芯片标号:48Z128
表面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:48Z128
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上海 0
新加坡 0
英国8 |
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RAMTRON - FM24C256-G - 芯片 串口FRAM 5V 256K |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:24
存储器容量: 256K位
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:串行FRAM
接口类型:Serial, I2C
电压, Vcc:5V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:24C256
表面安装器件:表面安装
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上海 0
美国 0
新加坡8
英国613 |
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