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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS1011SPBF - 场效应管 MOSFET IPS D2-PAK |
开态电阻, Rds(on):0.013ohm
功耗:3.1W
针脚数:3
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:D2-PAK
器件标号:1011
表面安装器件:表面安装
关电电流:85A
功率, Pd:3.1W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:6.5A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:28V
电压, Vds 最大:36V
电流, Id 连续:6.5A
输入低电压, 最大值:6V
输入高电压, 最小值:0.3V
钳位电压:36V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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上海 0
??加坡 0
英国157 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS1011PBF - 场效应管 MOSFET IPS TO-220 |
开态电阻, Rds(on):0.013ohm
功耗:25W
针脚数:3
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:TO-220
器件标号:1011
表面安装器件:通孔安装
关电电流:85A
功率, Pd:25W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:18A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:28V
电压, Vds 最大:36V
电流, Id 连续:18A
输入低电压, 最大值:6V
输入高电压, 最小值:0.3V
钳位电压:36V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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上海 0
新加坡 0
英国249 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6041RPBF - 场效应管 MOSFET IPS D-PAK |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:7A
开态电阻, Rds(on):0.13ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:2.5W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:D-PAK
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:DPAK
器件标号:6041
电压, Vcc:28V
表面安装器件:表面安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:2.5W
封装类型:D-PAK
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:2.3A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on ???量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:2.3A
电流上限:60A
负载电流:0.22A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6031RPBF - 场效应管 MOSFET IPS D-PAK |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:16A
开态电阻, Rds(on):0.06ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:2.5W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:D-PAK
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:DPAK
器件标号:6031
电压, Vcc:28V
表面安装器件:表面安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:2.5W
封装类型:D-PAK
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:2.8A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:8.9A
电流上限:60A
负载电流:0.55A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡146
英国 0 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6031PBF - 场效应管 MOSFET IPS TO-220 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:16A
开态??阻, Rds(on):0.06ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:25W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:TO-220
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:TO-220
器件标号:6031
电压, Vcc:28V
表面安装器件:通孔安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:25W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:8.9A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:8.9A
电流上限:7A
负载电流:0.55A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国865 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6021SPBF - 场效应管 MOSFET 智能功率开关(IPS) D2-PAK封装 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:32A
开态电阻, Rds(on):0.03ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:3.1W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:D2-PAK
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:D2-PAK
器件标号:6021
电压, Vcc:28V
表面安装器件:表面安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:3.1W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:4.3A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:4.3A
电流上限:16A
负载电流:1.1A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡240
英国228 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6021RPBF - 场效应管 MOSFET IPS D-PAK |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:32A
开态电阻, Rds(on):0.03ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:2.5W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:D-PAK
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:DPAK
器件标号:6021
电压, Vcc:28V
表面安装器件:表面安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:2.5W
封装类型:D-PAK
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:3.9A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:3.9A
电流上限:32A
负载电流:1.1A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国625 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6021PBF - 场效应管 MOSFET IPS TO-220 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:32A
开态??阻, Rds(on):0.03ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:25W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:TO-220
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:TO-220
器件标号:6021
电压, Vcc:28V
表面安装器件:通孔安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:25W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:12A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:12A
电流上限:7A
负载电流:1.1A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6011SPBF - 场效应管 MOSFET 智能功率开关(IPS) |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:60A
开态电阻, Rds(on):0.014ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:3.1W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:D2-PAK
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:D2-PAK
器件标号:6011
电压, Vcc:28V
表面安装器件:表面安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:3.1W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:6.3A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:6.3A
电流上限:60A
负载电流:2.4A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国105 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6011RPBF - 场效应管 MOSFET IPS D-PAK |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:60A
开态电阻, Rds(on):0.014ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:2.5W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:D-PAK
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:DPAK
器件标号:6011
电压, Vcc:28V
表面安装器件:表面安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:2.5W
封装类型:D-PAK
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:5.6A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:5.6A
电流上限:32A
负载电流:2.4A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6011PBF - 场效应管 MOSFET IPS TO-220 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:60A
开态??阻, Rds(on):0.014ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:25W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:TO-220
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:TO-220
器件标号:6011
电压, Vcc:28V
表面安装器件:通孔安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:25W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:18A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:18A
电流上限:32A
负载电流:2.4A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国28 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS2041LPBF - 场效应管 MOSFET IPS SOT-223 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:1.4A
开态电阻, Rds(on):0.13ohm
热保护:是
开/使能输入极性:低有效
功耗:1W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-223
针脚数:3
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SOT-223
器件标号:2041
表面安装器件:表面安装
关电电流:5A
功率, Pd:1W
封装类型:SOT-223
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:1.4A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:35V
电压, Vds 最??:60V
电流, Id 连续:1.4A
输入低电压, 最大值:-0.3V
输入高电压, 最小值:6V
钳位电压:68V
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
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上海 0
新加坡 0
英国2142 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS1052GPBF - 场效应管 MOSFET IPS SOIC-8 |
电源负载开关类型:单低边
输入电压:5.5V
电流极限:1.1A
???态电阻, Rds(on):0.25ohm
热保护:是
开/使能输入极性:低有效
功耗:1.25W
输出数:2
内部开关:是
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SOIC
器件标号:1052
表面安装器件:表面安装
关电电流:2.8A
功率, Pd:1.25W
封装类型:SOIC
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:1.1A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 最大:36V
电流, Id 连续:1.1A
输入低电压, 最大值:6V
输入高电压, 最小值:-0.3V
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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无库存 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS1051LPBF - 场效应管 MOSFET IPS SOT-223 |
输入电压:5.5V
电流极限:1.4A
开态电阻, Rds(on):0.25ohm
热保护:是
开/使能输入极性:低有效
功耗:2W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-223
针脚数:3
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SOT-223
器件标号:1051
表面安装器件:表面安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:6V
关电电流:2.8A
功率, Pd:2W
封装类型:SOT-223
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:1.4A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:28V
电压, Vds 最大:36V
电流, Id 连续:1.4A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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无库存 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS1042GPBF - 场效应管 MOSFET IPS SOIC-8 |
电源负载开关类型:单低边
输入电压:5.5V
电流极限:1.5A
???态电阻, Rds(on):0.1ohm
热保护:是
开/使能输入极性:低有效
功耗:1.25W
输出数:2
内部开关:是
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SOIC
器件标号:1042
表面安装器件:表面安装
关电电流:4.5A
功率, Pd:1.25W
封装类型:SOIC
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:1.5A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:28V
电压, Vds 最大:36V
电流, Id 连续:1.5A
输入低电压, 最大值:6V
输入高电压, 最小值:-0.3V
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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无库存 |
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