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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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POWER INTEGRATIONS - TNY274GN - 芯片 离线开关 |
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SMD
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:150°C
器件标号:274
电源电压 最大:265V
电源电压 最小:85V
表面安装器件:表面安装
频率:132kHz
控制器类型:PWM
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无库存 |
1 |
1 |
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POWER INTEGRATIONS - TNY274PN - 芯片 离线开关 |
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:DIP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:150°C
器件标号:274
电源电压 最大:265V
电源电压 最小:85V
表面安装器件:通孔安装
频率:132kHz
封装形式:DIP
控制器类型:PWM
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - ICE3A5565P - 场效应管 MOSFET 智能驱动器 |
针脚数:6
工作温度范围:-40oC to +150oC
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
表面安装器件:通孔安装
功率, Pd:120W
封装类型:TO-220
开态电阻, Rds(on):0.79ohm
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET CoolSET-F3
电压, Vds 典型值:650V
电压, Vds 最大:650V
针脚格式:1(Drain), 3(CS), 4(GND), 5(VCC), 6(SoftS), 7(FB)
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - ICE3A2565 - 场效应管 MOSFET 智能驱动器 |
工作温度范围:-40oC to +150oC
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
表面安装器件:通孔安装
功率, Pd:33W
封装类型:DIP
开态电阻, Rds(on):0.65ohm
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 典型值:650V
电压, Vds 最大:650V
针脚格式:1(SoftS), 2(FB), 3(CS), 4(Drain),5(Drain), 6(N.C) 7(VCC), 8(GND)
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - ICE3A1565 - 场效应管 MOSFET 智能驱动器 |
工作温度范围:-40oC to +150oC
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
表面安装器件:通孔安装
功率, Pd:20W
封装类型:DIP
开态电阻, Rds(on):1.7ohm
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 典型值:650V
电压, Vds 最大:650V
针脚格式:1(SoftS), 2(FB), 3(CS), 4(Drain),5(Drain), 6(N.C) 7(VCC), 8(GND)
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上海 0 新加坡 0 英国29 |
1 |
1 |
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INFINEON - ICE2A280Z - 场效应管 MOSFET 智能驱动器 |
工作温度范围:-40oC to +150oC
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
表面安装器件:通孔安装
功率, Pd:31W
封装类型:DIP
开态电阻, Rds(on):0.8ohm
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 典型值:800V
电压, Vds 最大:800V
针脚格式:1(SoftS), 2(FB), 3(CS), 4(N.C), 5(Drain), 7(VCC), 8(GND)
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上海5 新加坡 0 英国404 |
1 |
1 |
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INFINEON - ICE2A180Z - 场效应管 MOSFET 智能驱动器 |
工作温度范围:-40oC to +150oC
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
表面安装器件:通孔安装
功率, Pd:17W
封装类型:DIP
开态电阻, Rds(on):3ohm
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 典型值:800V
电压, Vds 最大:800V
针脚格式:1(SoftS), 2(FB), 3(CS), 4(N.C), 5(Drain), 7(VCC), 8(GND)
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上海 0 新加坡50 英国1617 |
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