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SEMIKRON - SK10GD123 - 晶体管 IGBT模块 6管 16A   晶体管极性:N 集电极直流电流:16A ??和电压, Vce sat 最大:3.2V 电压, Vceo:1.2V 封装类型:SEMITOP 3 针脚数:11 封装类型:SEMITOP 3 晶体管数:6 晶体管类型:3 Phase Controlled Bridge (IGBT) - NPT 表面安装器件:螺丝安装 上升时间:45ns 最大连续电流, Ic:11A 温度 @ 电流测量:80°C 电压, Vces:1200V 隔离电压:2500V 集电极电流, Ic 平均值:16A 集电极连续电流, Ic 最大值:11A 饱和电压 Vce sat 典型值:2.7V 无库存 1 1 删除