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TOSHIBA - 2SK4017(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 60V TO251AA   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:5A 电压, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):0.1ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:20W 封装类型:TO251AA 封装类型:PW-MOLD2 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电流, Id 连续:5A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 上海 0 新加坡600 英国590 1 1 删除
TEXAS INSTRUMENTS - TS5A23157DGSR - 芯片 模拟开关   模拟开关类型:SPDT 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:MSOP 针脚数:10 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:MSOP 开关数:2 电源电压:单 电源电压 最大:5.5V 电源电压 最小:1.8V 表面安装器件:表面安装 通态电阻:10ohm 美国 0 上海25 新加坡511 1 1 删除