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INFINEON - BSM50GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V   模块配置:1 Pair Series Connection 集电极直流电流:78A 饱和电压, Vce sat 最大:3V 最大功耗:400W 电压, Vceo:1200V 工作温度范围:-40°C to +125°C 封装类型:Half Bridge 1 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 封装类型:Half Bridge 1 封装类型, 替代:M34a 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:螺丝安装 上升时间:100ns 下降时间:100ns 功率, Pd:400W 功耗:400W 最大连续电流, Ic:50A 温度 @ 电流测量:80°C 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:100A 上海 0 新加坡 0 英国10 1 1 删除