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NXP - BLT81.115 - 射频晶体管 NPN 每卷1K   晶体管极性:NPN 电压, Vceo:9.5V 截止频率 ft, 典型值:900MHz 功耗, Pd:2W 集电极直流电流:500mA 直流电流增益 hFE:25 外宽:6.7mm 外部深度:7.5mm 外部长度/高度:1.7mm 封装类型:SOT-223 晶体管数:1 晶体管类型:RF Bipolar 每卷数量:1000 表面安装器件:表面安装 集电极连续电流:500mA SMD标号:BLT81 封装类型:SOT-223 带子宽度:12mm 总功率, Ptot:2W 效率:60% 最大连续电流, Ic:0.5A 最小功率增益 Gp:6dB 电压, Vcbo:20V 电流, Ic hFE:300mA 电流, Ic 最大:0.5A 电源电压:7.5V 直流电流增益 hfe, 最小值:25 负载功率:1.2W 集电极电流, Ic 平均值:500mA 上海 0 新加坡 0 英国1 1,000 1 删除