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VISHAY SILICONIX - SST5485-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-236   晶体管类型:JFET 电压, V(br)gss:-25V 电压, Vgs off 最大:-4V 功耗:350mW 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-236 针脚数:3 封装类型:TO-236 晶体管极性:N Channel 电流, Idss 最大:10mA 电流, Idss 最小:4mA 无库存 1 100 删除