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RENESAS - 2SK2220-E - 场效应管 MOSFET N TO-3P   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:8A 电压, Vds 最大:180V 开态电阻, Rds(on):1.5ohm 电压, Vgs 最高:20V 功耗:100W 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:TO-3P 针脚数:3 功率, Pd:100W 封装类型:TO-3P 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:180V 电流, Id 连续:8A 电流, Idm 脉冲:8A 表面安装器件:通孔安装 针脚格式:1 g 2 s 3 d 阈值电压, Vgs th 典型值:1.45V 上海 0 新加坡 0 英国17 1 1 删除