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NXP - BLF278 - 功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:125V 电流, Id 连续:18A 功耗:500W 封装类型:SOT-262A1 晶体管??性:N 电压, Vds:125V 结温, Tj 最高:200°C 功率, Pd:500W 存储温度, 最低:-65°C 存储温度, 最高:150°C 封装类型:SOT-262A1 开态电阻, Rds(on):0.2ohm 漏极电流, Id 最大值:18A 电压 @ Rds测量:10V 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 阈值电压, Vgs th 最低:2V 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V 上海 0 新加坡 0 英国95 1 1 删除