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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG315N - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 2A SC70-6   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:2A 电压, Vds 最大:30V ???态电阻, Rds(on):0.12ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:1.8V 功耗:0.75W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SC-70 针脚数:6 器件标记:.15 封装类型:SC70 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:2A 电流, Idm 脉冲:6A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V 阈值电压, Vgs th 最高:3V 上海 0 美国 0 新加坡200 英国965 1 1 删除