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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG316P - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.6A SC70-6   晶体管极性:P Channel 漏极电流, Id 最大值:1.6A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.19ohm 电压 @ Rds测量:-10V 电压, Vgs 最高:-1.6V 功耗:0.75W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SC-70 针脚数:6 器件标记:.36 封装类型:SC70 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:1.6A 电流, Idm 脉冲:6A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V 阈值电压, Vgs th 最高:3V 上海 0 美国235 新加坡 0 英国1881 1 1 删除