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产品描述 |
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操作 |
 | NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM2594N-ADJ/NOPB - 芯片 开关稳压器 |
芯片 开关稳压器
| 美国 0 上海 0 美国260 新加坡20 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TOSHIBA - SSM3K09FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.4A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:400mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.7ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:150mW
封装类型:SC-70
封装类型:USM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
| 上海 0 新加坡200 英???1636 | 1 | 1 | | 删除 |
 | BOURNS - 3223G-1-105E - 微调电位器 1MR 11转 1/4W 20% |
总调电阻:1Mohm
圈数:11
电阻容差 ±:± 20%
系列:3223
温度系数 ±:100ppm/°C
额定功率:125mW
安装类型:SMD
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
电阻成分类型:Cermet
变化类型:线性
工作温度范围:-65°C to +150°C
表面安装器件:表面安装
调节类型:Side
额定电压:200V
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TOSHIBA - TK20A60T(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.190ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:45W
封装类型:TO-220SIS
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:20A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
| 上海 0 新加坡 0 英国33 | 1 | 1 | | 删除 |
| SPC TECHNOLOGY - 683. - 白炽灯 |
白炽灯
5V
T-1
引线型
0.06A
| 无库存 | 10 | 1 | | 删除 |
 | HARWIN - M80-5T12642MC - 连接器 公 垂直 26路 可锁 |
连接器类型:Wire-to-Board
系列:J-Tek
接触端子:Solder
公/母:Plug
触点数:26
排数:2
节距:2mm
接触镀层:Gold
接触材料:磷铜
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:121°C
工作电压:120V
引脚节距:2mm
接触电阻:25mohm
材料:Glass-Filled PPS
端接方法:Solder
绝缘电阻:100Mohm
触点材料:Phosphor Bronze
触点镀层:Gold
路数:26
连接器类型:Wire-to-Board
阻燃性等级:UL94V-0
额定电流:3A
| 上海 0 新加坡 0 英国35 | 1 | 1 | | 删除 |
