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DIODES INC. - DMN601DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363   晶体管极性:Dual N Channel 开态电阻, Rds(on):2ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V 工作温度范围:-65°C to +150°C 封装类型:SOT-363 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOT-363 晶体管类型:Enhancement 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电流, Id 连续:305mA 上海 0 新加坡 0 英国2910 1 5 删除