 | SEMELAB - BUZ900P - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:14V
功耗:125W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:125W
器件标记:BUZ900P
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
时间, t off:50ns
时间, t on:100ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vds 典型值:160V
电容值, Ciss 典型值:500pF
电流, Id 连续:8A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:G(1), S(2), D(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
??轮二极管:Id(peak) = 8 A
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 | TOSHIBA - 2SK4103(TE16L1NQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 500V DPAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
封装类型:DPAK
封装类型:PW-MOLD
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
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