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FUJI ELECTRIC - 2SK3680-01 - 场效应管 MOSFET N TO-247   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:52A 电压, Vds 最大:500V 开态电阻, Rds(on):0.11ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:600W 封装类型:TO-247 针脚数:3 功率, Pd:600W 单脉冲雪崩能量 Eas:802.7mJ 封装类型:TO-247 封装类型, 替代:SOT-249 引脚节距:5.45mm 总功率, Ptot:600W 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:500V 电流, Id 连续:52A 电流, Idm 脉冲:208A 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:通孔安装 重复雪崩电流, Iar:26A 阈值电压, Vgs th 典型值:5V 阈值电压, Vgs th 最低:3V 阈值电压, Vgs th 最高:5V 上海 0 新加坡 0 英国60 1 1 删除
MULTICOMP - 018-0401 - 防潮袋 10X24英寸 每包100只   宽度:10" 高度:24" 包装材料:Static Dissipative Layer, Aluminised Polyester Film, Polyolefin 封口类型:Heat Seal / Vacuum Seal 外宽:254mm 外部长度/高度:610mm 批准机构:Mil 81705 最大表面电阻率:10000Mohm/sq 材料:Polyolefin 颜色:Metallic 包装数量:100 标准:EIA-std 上海 0 新加坡 0 英国12 100 1 删除
BOURNS - 3223G-1-203E - 微调电位器 20K 11转 1/4W 20%   总调电阻:20kohm 圈数:11 电阻容差 ±:± 20% 系列:3223 温度系数 ±:100ppm/°C 额定??率:125mW SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 电阻成分类型:Cermet 变化类型:线性 工作温度范围:-65°C to +150°C 表面安装器件:表面安装 调节类型:Side 额定电压:200V 无库存 1 1 删除
TOSHIBA - TPC6104(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 5.5A 20V TSOP6   晶体管极性:P 漏极电流, Id 最大值:-5.5A 电压, Vds 最大:-20V 开态电阻, Rds(on):0.04ohm 电压 @ Rds测量:-4.5V 电压, Vgs 最高:-8V 功耗:2.2W 封装类型:2-3T1A 封装类型:VS-6 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:5.5A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V 上海 0 新加坡 0 英国2526 1 1 删除