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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM2594N-ADJ/NOPB - 芯片 开关稳压器   芯片 开关稳压器 美国 0 上海 0 美国260 新加坡20 1 1 删除
TOSHIBA - SSM3K09FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.4A 30V SOT23   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:400mA 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.7ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:150mW 封装类型:SC-70 封装类型:USM 晶体管类型:Small Signal MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:0.4A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V 上海 0 新加坡200 英???1636 1 1 删除
BOURNS - 3223G-1-105E - 微调电位器 1MR 11转 1/4W 20%   总调电阻:1Mohm 圈数:11 电阻容差 ±:± 20% 系列:3223 温度系数 ±:100ppm/°C 额定功率:125mW 安装类型:SMD SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 电阻成分类型:Cermet 变化类型:线性 工作温度范围:-65°C to +150°C 表面安装器件:表面安装 调节类型:Side 额定电压:200V 无库存 1 1 删除
TOSHIBA - TK20A60T(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO220   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:20A 电压, Vds 最大:600V 开态电阻, Rds(on):0.190ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:45W 封装类型:TO-220SIS 封装类型:TO-220SIS 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电流, Id 连续:20A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:5V 上海 0 新加坡 0 英国33 1 1 删除