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TOSHIBA - SSM3K14T(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 4A 30V SOT23   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:4A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.039ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:700mW 封装类型:SOT-23 封装类型:TSM 晶体管类型:Small Signal MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:4A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 上海 0 新加坡150 英国2113 1 1 删除