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TOSHIBA - SSM6K18TU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 4A 20V SSOTFMLP   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:4A 电压, Vds 最大:20V 开态电???, Rds(on):0.040ohm 电压 @ Rds测量:4V 电压, Vgs 最高:12V 功耗:500mW 封装类型:UF6 封装类型:UF6 晶体管类型:Small Signal MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:4A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V 上海 0 新加坡 0 英???2857 1 1 删除