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SANYO - ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8   晶体管极性:NP 漏极电流, Id 最大值:2A 电压, Vds 最大:100V 开态电阻, Rds(on):260mohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V 功耗:1.5W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:ECH8 针脚数:8 封装类型:ECH8 晶体管类型:Switching 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:100V 电压, Vgs 最高:20V 电流, Id 连续:1A 上海 0 新加坡 0 英国93 1 1 删除