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SANYO - FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96   晶体管极性:Dual N Channel 漏极电流, Id 最大值:8A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):22mohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V 功耗:2.5W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-96 针脚数:8 封装类型:SOT-96 晶体管类型:Switching 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电压, Vgs 最高:20V 电流, Id 连续:8A 上海 0 新加坡 0 英国96 1 1 删除