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STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220   晶体管极性:N Channel 开态电阻, Rds(on):0.135ohm 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-220 封装类型:TO-220 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电流, Id 连续:10A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 上海 0 新加坡10 英国 0 1 1 删除