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TOSHIBA - 2SK3799 - 场效应管 MOSFET N 900V TO-220SIS   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:8A 电压, Vds 最大:900V 开态电阻, Rds(on):1.3ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:50W 封装类型:TO-220SIS 功率, Pd:50W 封装类型:TO-220SIS 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:900V 电流, Id 连续:8A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡 0 英国252 1 1 删除
DANIEL WOODHEAD - 32683 - 连接器   连接器 触点数:4 美国 0 上海 0 美国12 新加坡 0 1 1 删除