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IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR35N60BD1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247   晶体管类型:NPT 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 封装类型:ISOPLUS-247 上升时间:70ns 下降时间:70ns 功耗:125W 封装类型:ISOPLUS-247 晶体管极性:NPN 最大连续电流, Ic:38A 热阻, 结至外壳 A:1°C/W 电压, Vces:600V 表面安装器件:通孔安装 针脚配置:Copack (FRD) 上海 0 新加坡 0 英国1 1 1 删除