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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR35N120B - 晶体管 IGBT ISOPLUS247   晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:70A 饱和电压, Vce sat 最大:3.3V 最大功耗:200W 电压, Vceo:1.2kV 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:ISOPLUS-247 上升时间:160ns 下降时间:160ns 功耗:200W 封装类型:ISOPLUS-247 晶体管极性:NPN 最大连续电流, Ic:70A 热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W 电压, Vces:1200V 表面安装器件:通孔安装 针脚配置:Single 上海 0 新加坡 0 英国2 1 1 删除