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TOSHIBA - GT15Q102 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N)   晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:15A 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 最大功耗:170W 电压, Vceo:1200V 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-3P (N) 针脚数:3 上升时间:50ns 功率, Pd:170W 功耗:170W 封装类型:TO-3P (N) 晶体管极性:N Channel 最大连续电流, Ic:15A 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:30A 表面安装器件:通孔安装 针脚格式:GCE 上海 0 新加坡 0 英国55 1 1 删除