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TOSHIBA - GT50J102 - 晶体管 IGBT 600V TO-3P(LH)   晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:50A 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 最大功耗:200W 电压, Vceo:600V 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-3P (LH) 上升时间:120ns 下降时间典型值:150ns 功率, Pd:200W 功耗:200W 封装类型:TO-3P (LH) 晶体管极性:N Channel 最大连续电流, Ic:50A 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:100A 表面安装器件:通孔安装 上海 0 新加坡9 英国67 1 1 删除