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TOSHIBA - GT10Q301 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N)   晶体管类型:HP SW IGBT 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 电压, Vceo:1200V 封装类型:TO-3P (N) 针脚数:3 上升时间:70ns 功率, Pd:140W 功耗:140W 封装类型:TO-3P (N) 晶体管极性:N 最大连续电流, Ic:10A 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:20A 表面安装器件:通孔安装 针脚格式:GCE 无库存 1 1 删除