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TOSHIBA - GT30J324 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-3P(N)   晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:30A 饱和电压, Vce sat 最大:2.45V 最大功耗:170W 电压, Vceo:600V 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-3P (N) 上升时间:70ns 下降时间典型值:50ns 功率, Pd:170W 功耗:170W 封装类型:TO-3P (N) 晶体管极性:N Channel 最大连续电流, Ic:30A 热阻, 结至外壳 A:0.735°C/W 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:60A 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:通孔安装 上海 0 新加坡 0 英国60 1 1 删除