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IXYS RF - DE150-501N04A - 场效应管 MOSFET N RF DE150   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:4.5A 最大功耗:200W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:150 晶体管极性:N 上升时间:4ns 功率, Pd:200W 封装类型:150 开态电阻, Rds(on):1.5ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:700pF 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 上海2 新加坡 0 英国29 1 1 删除