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IXYS RF - IXZ308N120 - 场效应管 MOSFET N RF DE375   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:1200V 电流, Id 连续:8A 最大功耗:880W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:DE-375 晶体管极性:N 上升时间:5ns 功率, Pd:880W 封装类型:DE-375 开态电阻, Rds(on):2.1ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V 电压, Vds 典型值:1200V 电容值, Ciss 典型值:1960pF 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V 无库存 1 1 删除