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IXYS RF - IXFN24N100F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:1000V 电流, Id 连续:24A 最大功耗:600W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:ISOTOP 晶体管极性:N 表面安装器件:螺丝安装 上升时间:18ns 功率, Pd:600W 封装类型:ISOTOP 开态电阻, Rds(on):0.39ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:1000V 电容值, Ciss 典型值:6600pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 上海 0 新加坡1 英国19 1 1 删除