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SEMIKRON - SEMIX 352GB128DS - 双IGBT模块 1200V SPT   晶体管极性:N 饱和电压, Vce sat 最大:2.35V 电压, Vceo:1200V 封装类型:SEMiX 2 外宽:116.5mm 外部深度:61.6mm 封装类型:SEMiX 2 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT SMD标号:SEMiX2 上升时间:55ns 安装孔中心距:77mm 安装孔直径:5.5mm 最大连续电流, Ic:370A 温度 @ 电流测量:25°C 电压:1200V 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:370A 集电极电流, Ic 平均值:370A 集电极连续电流, Ic 最大值:260A 无库存 1 1 删除