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SEMIKRON - SKM 150GB128D - 双IGBT模块 200A 1200V SPT   晶体管极性:N 饱和电压, Vce sat 最大:2.35V 电压, Vceo:1200V 封装类型:SEMITRANS 3 外宽:106.4mm 外部深度:61.4mm 外部长度/高度:30.5mm 封装类型:SEMITRANS 3 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:螺丝安装 上升时间:40ns 下降时间:65ns 安装孔中心距:93mm 安装孔直径:6.4mm 最大连续电流, Ic:200A 温度 @ 电流测量:25°C 电压, Vces:1200V 集电极电流, Ic 平均值:200A 集电极连续电流, Ic 最大值:140A 停产 1 1 删除