STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STP26NM60N
库存状态：上海 0 , 新加坡10, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 55.87
价格：
库存编号：
制造商编号：STP26NM60N
库存状态：上海 0 , 新加坡10, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 55.87
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 55.87 |
| 25 - 99 | CNY 43.91 |
| 100 - 249 | CNY 35.20 |
| 250 - 499 | CNY 30.89 |
| 500+ | CNY 28.00 |
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:10A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.00195
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:10A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V