NXP - BLF242 - 场效应管 MOSFET RF SOT-123

NXP - BLF242 - 场效应管 MOSFET RF SOT-123
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：BLF242
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描述信息：
  • 晶体管类型: HF-VHF功率 MOS
  • 电压, Vds 最大:65V
  • 电流, Id 连续:1A
  • 最大功耗:16W
  • 噪声:5.5dB
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-123
  • 截止频率 ft, 典型值:175MHz
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 功率, Pd:5W
  • 器件标号:1
  • 封装类型:SOT-123
  • 应用代码:RFPOWMOS
  • 开态电阻, Rds(on):3.3ohm
  • 效率:50%
  • 最小功率增益 Gp:13dB
  • 漏极电流, Id 最大值:1A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:1V
  • 电压, Vds 典型值:28V
  • 电容值, Ciss 典型值:13pF
  • 电流, Idm 脉冲:1A
  • 电流, Idss 最大:0.01mA
  • 负载功率:16W
  • 通态电阻, Rds on 最大:5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：

重量（公斤）：0.0035
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管类型: HF-VHF功率 MOS
  • 电压, Vds 最大:65V
  • 电流, Id 连续:1A
  • 最大功耗:16W
  • 噪声:5.5dB
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-123
  • 截止频率 ft, 典型值:175MHz
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 功率, Pd:5W
  • 器件标号:1
  • 封装类型:SOT-123
  • 应用代码:RFPOWMOS
  • 开态电阻, Rds(on):3.3ohm
  • 效率:50%
  • 最小功率增益 Gp:13dB
  • 漏极电流, Id 最大值:1A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:1V
  • 电压, Vds 典型值:28V
  • 电容值, Ciss 典型值:13pF
  • 电流, Idm 脉冲:1A
  • 电流, Idss 最大:0.01mA
  • 负载功率:16W
  • 通态电阻, Rds on 最大:5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V