IXYS RF - IXFH6N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
制造商：IXYS RF
库存编号：
制造商编号：IXFH6N100F
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 57.80
价格：
库存编号：
制造商编号：IXFH6N100F
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 57.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 57.80 |
| 10+ | CNY 56.70 |
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:1000V
- 电流, Id 连续:6A
- 最大功耗:180W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-247AD
- 晶体管极性:N
- 表面安装器件:通孔安装
- 上升时间:14ns
- 功率, Pd:180W
- 封装类型:TO-247AD
- 开态电阻, Rds(on):1.9ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电容值, Ciss 典型值:1870pF
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
产品属性：
重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:1000V
- 电流, Id 连续:6A
- 最大功耗:180W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-247AD
- 晶体管极性:N
- 表面安装器件:通孔安装
- 上升时间:14ns
- 功率, Pd:180W
- 封装类型:TO-247AD
- 开态电阻, Rds(on):1.9ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电容值, Ciss 典型值:1870pF
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V