SEMIKRON - SK85MH10T - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V

SEMIKRON - SK85MH10T - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V
制造商：SEMIKRON
库存编号：
制造商编号：SK85MH10T
库存状态：上海 0 , 新加坡2, 英国5
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 474.50
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 4 CNY 474.50
5  - 14 CNY 347.90
15+  CNY 339.50

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描述信息：
  • 模块配置:H Bridge Inverter
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:80A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 外宽:40.5mm
  • 外部深度:28mm
  • 外部长度/高度:15.43mm
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 晶体管数:4
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 安装孔中心距:38mm
  • 安装孔直径:2mm
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:80A
  • 电流, Idm 脉冲:120A
  • 芯片封装类型:A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
产品属性：

重量（公斤）：0.02
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 模块配置:H Bridge Inverter
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:80A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 外宽:40.5mm
  • 外部深度:28mm
  • 外部长度/高度:15.43mm
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 晶体管数:4
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 安装孔中心距:38mm
  • 安装孔直径:2mm
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:80A
  • 电流, Idm 脉冲:120A
  • 芯片封装类型:A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V