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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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HAMAMATSU - S1087 - 光电二极管 560nm 陶瓷 |
波长, 典型值:560nm
灵敏度:0.3A/W
暗电流:0.01nA
针脚数:2
工作温度范围:-10°C to +60°C
上升时间:0.5μs
外宽:6.0mm
外部深度:5.0mm
外部长度/高度:1.5mm
工作温度最低:-10°C
工作温度最高:+60°C
波长峰值:560nm
电压, Vr 最高:10V
封装类型:Radial
引线长度:12mm
引脚节距:3.0mm
活性区面积:1.3mm2
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上海15
新加坡 0
英国121 |
1 |
1 |
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TAOS - TSL1401R - 传感器阵列 线性 128像素 |
波长, 典型值:1000nm
灵敏度:11μW/cm2
封装形式:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-25°C to +85°C
上升时间:500ns
外宽:10.665mm
外部深度:7.62mm
外部长度/高度:4.195mm
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
波长峰值:638nm
3dB频率:2MHz
二极管类型:Photodiode array
封装类型:DIP
引脚节距:2.54mm
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
电源电流:4mA
输出电流 最大:25mA
额定电源电压, +:5V
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上海 0
新加坡9
英国75 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLD-70 C2A - 光电二极管 |
波长, 典型值:930nm
半角:60°
暗电流:100nA
针脚数:2
工作温度范围:-20°C to +75°C
上升时间:4μs
击穿电压:50V
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:50V
下降时间:6μs
二极管类型:光电二极管
封装类型:圆顶
波长, 频谱响应峰值:930nm
活性区面积:9.8mm2
短路电流:700μA
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上海 0
新加坡10
英国168 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLD-70 BG2A - 光电二极管 BG滤波 |
波长, 典型值:550nm
半角:60°
暗电流:100nA
封装形式:Top View
针脚数:2
工作温度范围:-20°C to +85°C
上升时间:4μs
击穿电压:50V
波长峰值:550.00nm
电压, Vr 最高:50V
下降时间:6μs
二极管类型:过滤光敏二极管
封装类型:圆顶
波长, 频谱响应峰值:550nm
活性区面积:9.8mm2
短路电流:55μA
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上海 0
新加坡39
英国10 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLDA-61S2508 - 光电二极管阵列 |
暗电流:3μA
波长峰值:930.00nm
二极管类型:平面光电二极管
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:76.76mm2
短路电流:450μA
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上海 0
新加坡 0
英国2 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLDA-61S1008 - 光电二极管阵列 |
暗电流:3μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
波长峰值:930.00nm
二极管类型:平面光电二极管
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:9.36mm2
短路电流:80μA
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上海 0
新加坡 0
英国141 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N800 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:3.4mm
外部长度/高度:1.3mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:2.70mm2
短路电流:0.17mA
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上海 0
新加坡 0
英国30 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N700 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:5μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:19.3mm
外部长度/高度:9mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:162.50mm2
短路电流:8mA
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N600 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:25.4mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:109.10mm2
短路电流:6mA
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上海 0
新加坡 0
英国62 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N500 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:10.2mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:93.60mm2
短路电流:4mA
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上海 0
新加坡 0
英国29 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N400 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:5μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:25.4mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:45.20mm2
短路电流:2.3mA
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上海 0
新加坡 0
英国115 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N300 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:45.90mm2
短路电流:2.1mA
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上海 0
新加坡10
英国130 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N200 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
封装形式:Side Looking
针脚数:2
工???温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:21.40mm2
短路电流:1.2mA
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上海 0
新加坡38
英国91 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N100 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:10.40mm2
短路电流:0.5mA
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上海 0
新加坡 0
英国80 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N8 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:3.4mm
外部长度/高度:1.3mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:2.70mm2
短路电流:0.17mA
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上海 0
新加坡 0
英国7 |
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