| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
SILONEX - SLCD-61N5 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:10.2mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:93.60mm2
短路电流:4mA
|
上海 0
新加坡 0
英国20 |
1 |
1 |
  |
 |
SILONEX - SLCD-61N4 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:5μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
??部深度:25.4mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:45.20mm2
短路电流:2.3mA
|
上海 0
新加坡 0
英国69 |
1 |
1 |
|
 |
SILONEX - SLCD-61N3 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:45.90mm2
短路电流:2.1mA
|
上海 0
新加坡 0
英国12 |
1 |
1 |
|
 |
SILONEX - SLCD-61N2 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:21.40mm2
短路电流:1.2mA
|
上海 0
新加坡 0
英国718 |
1 |
1 |
|
 |
SILONEX - SLCD-61N1 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:10.40mm2
短路电流:0.5mA
|
上海 0
新加坡 0
英国729 |
1 |
1 |
|
 |
IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10530DAW - 光电二极管 平顶透镜幅度 |
灵敏度:860mV/μW/cm2
半角:86°
波长峰值:900.00nm
3dB频率:65kHz
二极管类型:信号放大光电二极管
封装类型:TO-5
波长, 频谱响应峰值:900nm
活性区面积:1.75mm2
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:4V
|
停产 |
1 |
1 |
|
 |
IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10040DW - 光电二极管 |
灵敏度:0.5A/W
半角:100°
暗电流:7nA
工作温度范围:-40°C to +70°C
上升时间:0.01μs
击穿电压:60V
外径:8.25mm
外部长度/高度:3.9mm
波长峰值:800.00nm
电压, Vr 最高:20V
下降时间:0.01μs
二极管类型:光电二极管
封装类型:TO-5
波长, 频谱响应峰值:900nm
活性区面积:5.5mm2
|
停产 |
1 |
1 |
|
 |
IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10020BW - 光电二极管 |
灵敏度:0.5A/W
半角:50°
上升时间:0.004μs
波长峰值:800.00nm
下降时间:0.004μs
二极管类型:光电二极管
封装类型:TO-18
引脚节距:2.5mm
波长, 频谱响应峰值:900nm
活性区面积:0.66mm2
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10530HAL - 光电二极管 放大型 |
灵敏度:5V/μWmm2
半角:10°
工作温度范围:-20°C to +85°C
上升时间:1μs
波长峰值:900.00nm
3dB频率:35kHz
二极管类型:信号放大光电二极管
封装类型:TO-5
波长, 频谱响应峰值:900nm
活性区面积:1.75mm2
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:14V
|
停产 |
1 |
1 |
|
 |
IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10530DAL - 光电二极管 圆顶透镜幅度 |
灵敏度:860mV/μW/cm2
半角:27°
波长峰值:900.00nm
3dB频率:65kHz
二极管类型:信号放大光电二极管
封装类型:TO-5
波长, 频谱响应峰值:900nm
活性区面积:1.75mm2
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:4V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
EPIGAP - EPD-740-5/0.5 - 光电二极管选择性 |
波长, 典型值:740nm
灵敏度:0.5 A/W
半角:20°
暗电流:0.2nA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +85°C
上升时间:15ns
波长峰值:740nm
电压, Vr 最高:10V
二极管类型:光电二极管
封装类型:5mm塑料
活性区面积:0.13mm2
频谱范围最大:780nm
频谱范围最小:700nm
|
停产 |
1 |
1 |
|
 |
EPIGAP - EPD-660-5/0.5 - 光电二极管选择性 |
波长, 典型值:660nm
灵敏度:0.42 A/W
半角:40°
暗电流:0.2nA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +85°C
上升时间:15ns
波长峰值:660nm
电压, Vr 最高:10V
二极管类型:光电二极管
封装类型:5mm塑料
活性区面积:0.13mm2
频谱范围最大:700nm
频谱范围最小:620nm
|
上海 0
新加坡14
英国207 |
1 |
1 |
|
 |
EPIGAP - EPD-520-5/0.5 - 光电二极管选择性 |
波长, 典型值:525nm
灵敏度:0.14 A/W
半角:20°
暗电流:0.05nA
针脚数:2
波长峰值:525nm
电压, Vr 最高:10V
二极管类型:光电二极管
封装类型:5mm塑料
活性区面积:0.13mm2
频谱范围最大:560nm
频谱范围最小:490nm
|
上海 0
新加坡9
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
EPIGAP - EPD-470-5/0.5 - 光电二极管选择性 |
波长, 典型值:470nm
灵敏度:0.12 A/W
半角:20°
暗电流:0.05nA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +85°C
上升时间:200ns
击穿电压:10V
波长峰值:470nm
电压, Vr 最高:10V
二极管类型:光电二极管
封装类型:5mm塑料
活性区面积:0.13mm2
频谱范围最大:510nm
频谱范围最小:430nm
|
上海 0
新加坡5
英国163 |
1 |
1 |
|
 |
EPIGAP - EPD-440-0/1.45 - 光电二极管UV |
波长, 典型值:440nm
灵敏度:0.12 A/W
暗电流:0.02nA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +125°C
上升时间:0.05ns
击穿电压:5V
波长峰值:440nm
电压, Vr 最高:10V
二极管类型:光电二极管
封装类型:TO-46
活性区面积:1.2mm2
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:125°C
频谱范围最大:570nm
频谱范围最小:190nm
|
上海 0
新加坡 0
英国3 |
1 |
1 |
|
| 共 8 页 | 第 7 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
