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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC30S-SPBF - 晶体管IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:18ns
下降时间最大:760ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封装类型:D2-PAK
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:34A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:68A
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC30K-SPBF - 晶体管 IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:100W
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
上升时间:28ns
功率, Pd:100W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:28A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:58A
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC20W-SPBF - 晶体管IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
上升时间:15ns
功率, Pd:60W
功耗:60W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:13A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:52A
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC20UD-SPBF - 晶体管 IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:13A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
最大功耗:60W
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:17ns
下降时间:220ns
下降时间典型值:220ns
功率, Pd:60W
功耗:60W
封装类型:D2-PAK
封装类型, 替代:TO-263
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:13A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:52A
表面安装器件:表??安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC20SD-SPBF - 晶体管IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:35ns
下降时间最大:730ns
功率, Pd:60W
功耗:60W
封装类型:D2-PAK
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:19A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:38A
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC20MD-SPBF - 晶体管 IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:18A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
最大功耗:60W
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
上升时间:41ns
功率, Pd:60W
功耗:60W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:18A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:36A
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国5 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK 30GB128 - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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无库存 |
1 |
3 |
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SEMIKRON - SKM 100 GB 063D - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - PS21255-EP - 晶体管 IGBT模块 56W Vceo:600V DIP |
晶体管 IGBT模块 56W Vceo:600V DIP
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美国 0 上海 0 美国10 新加坡 0 |
1 |
1 |
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DYNEX - DIM500BSS06-S000 - 单IGBT 500A 600V |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
电压, Vceo:600V
封装类型:B
上升时间:150ns
下降时间:250ns
功率, Pd:2907W
功耗:2907W
封装类型:B
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:500A
温度 @ 电流测量:65°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:375A
电流, Icm 脉冲:1000A
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无库存 |
1 |
1 |
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DYNEX - DIM200WKS12-A000 - 斩波IGBT 200A 1200V |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:1200V
封装类型:W
上升时间:110ns
下降时间:70ns
功率, Pd:1390W
功耗:1390W
封装类型:W
晶体管数:2
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:80°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:200A
电流, Icm 脉冲:400A
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM200DU-12NFH - 晶体管模块 IGBT 200A |
晶体管模块 IGBT 200A
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM400DU-24NFH - 晶体管模块 IGBT 400A |
晶体管模块 IGBT 400A
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM600DU-24NFH - 晶体管模块 IGBT 600A |
晶体管模块 IGBT 600A
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM400DU-12NFH - 晶体管模块 IGBT 400A |
晶体管模块 IGBT 400A
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无库存 |
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