| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
POWEREX - CM300DU-24NFH - 晶体管模块 IGBT 300A |
晶体管模块 IGBT 300A
|
无库存 |
1 |
1 |
  |
|
POWEREX - CM300DU-12NFH - 晶体管模块 IGBT 300A |
晶体管模块 IGBT 300A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM200DU-24NFH - 晶体管模块 IGBT 200A |
晶体管模块 IGBT 200A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM150DU-24NFH - 晶体管模块 IGBT 150A |
晶体管模块 IGBT 150A
|
美国 0
上海 0
美国1
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM100DU-24NFH - 晶体管模块 IGBT 100A |
晶体管模块 IGBT 100A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM75DU-24H - 晶体管电源模块 IGBT 半桥 |
晶体管电源模块 IGBT 半桥
|
美国 0
上海 0
美国3
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - M57140-01 - 直流/直流转换器模块 |
晶体管类型:IGBT
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
SEMIKRON - SKM 300GAL123D - 晶体管 IGBT N型 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:300A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
电压, Vceo:1.2kV
封装类型:D56
针脚数:5
封装类型:D56
晶体管极性:N Channel
电压, Vces:1200V
表面安装器件:螺丝安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - PM200DVA120 - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - GT50J325 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-3P(LH) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
最大功耗:240W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (LH)
上升时间:70ns
下降时间典型值:50ns
功率, Pd:240W
功耗:240W
封装类型:TO-3P (LH)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:50A
热阻, 结至外壳 A:0.521°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:100A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡39
英国126 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - GT30J324 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-3P(N) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:30A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
最大功耗:170W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (N)
上升时间:70ns
下降时间典型值:50ns
功率, Pd:170W
功耗:170W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:30A
热阻, 结至外壳 A:0.735°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:60A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡 0
英国60 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - GT20J321 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-220NIS |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220NIS
上升时间:40ns
下降时间典型值:40ns
功率, Pd:45W
功耗:45W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:20A
热阻, 结至外壳 A:2.78°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡7
英国77 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - GT15J321 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-220NIS |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220NIS
上升时间:40ns
下降时间典型值:30ns
下降时间最大:150ns
功率, Pd:30W
功耗:30W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:15A
热阻, 结至外壳 A:4.16°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:30A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡 0
英国147 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - GT30J301 - 晶体管 IGBT 600V TO-3P(N) |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:120ns
功率, Pd:155W
功耗:155W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:30A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:60A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - GT20J301 - 晶体管 IGBT 600V TO-3P(N) |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:120ns
功率, Pd:130W
封装类型:TO-3P (N)
最大连续电流, Ic:20A
电流, Icm 脉冲:40A
针脚格式:GCE
|
停产 |
1 |
1 |
|
| 共 18 页 | 第 14 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
