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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J174 - 射频 JFET |
射频 JFET
NPN
0.350W
TO-92
100mA
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J109 - 射频 JFET |
射频 JFET
NPN
0.625W
TO-92
40mA
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J108 - 射频 JFET |
射频 JFET
NPN
0.625W
TO-92
80mA
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J107 - 射频 JFET |
射频 JFET
NPN
0.625W
TO-92
100mA
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J106.. - 双极晶体管 |
双极晶体管
TO-92
200mA
25V
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J105.. - 射频 JFET |
射频 JFET
NPN
0.625W
TO-92
500mA
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J310 - 晶体管 JFET N沟道 TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
电压, Vgs off 最大:6.5V
功耗:350mW
封装类???:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
器件标记:J310
封装类型:TO-92
应用代码:RFA
总功率, Ptot:0.35W
晶体管数:1
晶体管极性:N
栅极电流, Ig:10mA
满功率温度:25°C
电压, Vds 最大:25V
电流, Idss 最大:60mA
电流, Idss 最小:24mA
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:m
针脚配置:m
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海474 美国 0 新加坡2343 英国3687 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J309 - 晶体管 JFET N沟道 TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
电压, Vgs off 最大:4V
功耗:350mW
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
器件标记:J309
封装类型:TO-92
应用代码:RFA
总功率, Ptot:0.35W
晶体管数:1
晶体管极性:N
栅极电流, Ig:10mA
满功率温度:25°C
电压, Vds 最大:25V
电流, Idss 最大:30mA
电流, Idss 最小:12mA
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:m
针脚配置:m
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡10 英国698 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J201 - 晶体管 JFET N沟道 TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-40V
电压, Vgs off 最大:1.5V
功耗:350mW
封装类???:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
器件标记:J201
封装类型:TO-92
应用代码:GPA
总功率, Ptot:0.625W
晶体管数:1
晶体管极性:N
栅极电流, Ig:50mA
满功率温度:25°C
电压, Vds 最大:40V
电流, Idss 最大:1mA
电流, Idss 最小:0.2mA
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:m
针脚配置:m
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海40 美国 0 新加坡237 英国8110 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J175 - 晶体管 JFET P TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:30V
电压, Vgs off 最大:6V
功耗:350mW
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
器件标记:J175
封装类型:TO-92
应用代码:SW
总功率, Ptot:0.35W
晶体管数:1
晶体管极性:P
栅极电流, Ig:50mA
满功率温度:25°C
电压, Vds 最大:30V
电流, Idss 最大:60mA
电流, Idss 最小:7mA
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:k
针脚配置:k
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡348 英国5369 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J113 - 晶体管 JFET N沟道 TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-35V
电压, Vgs off 最大:3V
功耗:625mW
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
器件标记:J113
封装类型:TO-92
应用代码:SW
总功率, Ptot:0.35W
晶体管数:1
晶体管极性:N
栅极电流, Ig:50mA
满功率温度:25°C
电压, Vds 最大:35V
电流, Idss 最大:2mA
电流, Idss 最小:2mA
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:m
针脚配置:m
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡30 英国4165 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J112 - 晶体管 JFET N沟道 TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-35V
电压, Vgs off 最大:5V
功耗:350mW
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
器件标记:J112
封装类型:TO-92
应用代码:SW
总功率, Ptot:0.35W
晶体管数:1
晶体管极性:N
栅极电流, Ig:50mA
满功率温度:25°C
电压, Vds 最大:35V
电流, Idss 最大:5mA
电流, Idss 最小:5mA
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:m
针脚配置:m
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海1248 新加坡125 英国6856 |
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