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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBF5484. - 射频放大器 N型 |
晶体管类型:RF Bipolar
功耗:225mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
封装类型:SOT-23
晶体管极性:N Channel
表面安装器件:表面安装
功耗, Pd:225mW
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J110 - 开关晶体管 N沟道 TO-92 |
晶体管类型:Switching
电压, V(br)gss:25V
电压, Vgs off 最大:4V
功耗:350mW
工??温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
封装类型:TO-92
晶体管极性:N Channel
电流, Idss 最小:10mA
表面安装器件:通孔安装
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上海 0 新加坡300 英国382 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - PN4391-E3 - 晶体管 JFET 40V 0.15A |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-40V
电压, Vgs off 最大:-10V
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - 2N4858A-E3 - 晶体管 JFET N 40V 50mA |
晶体管类型:JFET
封装类型:TO-18
封装类型:TO-18
晶体管极性:N Channel
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
25 |
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VISHAY SILICONIX - 2N4393-E3 - 晶体管 JFET N 40V 5mA |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-55V
电压, Vgs off 最大:-3V
功耗:1.8W
工作温度范围:-55°C to +200°C
针脚数:3
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无库存 |
1 |
25 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBFJ270 - 晶体管 JFET 30V SOT-23 |
晶体管 JFET 30V SOT-23
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SST5485-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-236 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
电压, Vgs off 最大:-4V
功耗:350mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-236
针脚数:3
封装类型:TO-236
晶体管极性:N Channel
电流, Idss 最大:10mA
电流, Idss 最小:4mA
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无库存 |
1 |
100 |
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VISHAY SILICONIX - J202-E3 - 晶体管 JFET N 40V 4.5mA |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:40V
零栅极电压漏极电流范围 Idss:0.9mA to 4.5mA
电压, Vgs off 最大:4V
功耗:350mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-226AA
封装类型:TO-226AA
晶体管极性:N Channel
电流, Idss 最大:4.5mA
电流, Idss 最小:0.9mA
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J112'D74Z - 晶体管 JFET |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:35V
零栅极电压漏极电流范围 Idss:5mA
电压, Vgs off 最大:35V
功耗:625mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
封装类型:TO-92
晶体管极性:N Channel
电流, Idss 最小:5mA
表面安装器件:通孔安装
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上海 0 新加坡 0 英国669 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SST441-E3 - 晶体管 JFET 双 N |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
电压, Vgs off 最大:-6V
功耗:500mW
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管极性:Dual N
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - VCR7N-E3 - 晶体管 JFET N TO-206AF |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
电压, Vgs off 最大:-5V
功耗:300mW
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-206AF
针脚数:3
封装类型:TO-206AF
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
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上海 0 美国 0 新加坡 0 英国5 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - VCR2N-E3 - 晶体管 JFET N TO-206AA |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
电压, Vgs off 最大:-7V
封装类型:TO-206AA
封装类型:TO-206AA
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - U431-E3 - 晶体管 JFET 双 N |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
电压, Vgs off 最大:-6V
功耗:500mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-78
针脚数:6
封装类型:TO-78
晶体管极性:Dual N
电流, Idss 最大:60mA
电流, Idss 最小:24mA
表面安装器件:通孔安装
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8 |
1 |
25 |
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VISHAY SILICONIX - PN4392-E3 - 晶体管 JFET |
晶体管 JFET
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - PN4117A-E3 - 晶体管 |
晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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